RAM可以永不丢失数据

        计算机技术发展至今，核心硬件的发展似乎却低于我们的预期。大概在 5 年前，我们感觉 RAM 内存和闪存存储已经不太够用了。正如处理器已经从高主频转向多核心，电脑的内存介质也需要一次重大的革新。

        我们已经看到了闪存介质的存储空间越来越大，比如 2TB 的 SD 卡、更大容量的 SSD 固态硬盘等，但在技术没有革新的情况下，瓶颈是在所难免的。新一代的内存技术，不仅能够让闪存实现数百 GB 甚至几 TB 的容量，还能够改变 DRAM 无法长时间存储信息的弊端，让内存也可以存储文件，实现更先进的系统形态。

        目前，已经拥有十几种正在开发的新型存储技术，将在未来改变计算机的硬件结构，下面来简单了解一下。

        操作系统的影响

        首先，更先进的数据存储方案也会在操作系统层面提升数据管理的效率。微软的文件系统专家 Spencer Shepler 表示，如果能够让 RAM 在系统索引方面发挥更大作用，直接链接到文件并一直存储在 RAM 中，那么电脑的数据访问速度将获得极大的提升。

        当然，如果 RAM 中的数据不会消失，还会引发一系列的问题。比如，当系统重新启动时如何检查系统完整性？那么，如何像使用硬盘那样把内存中的数据导出？如果不幸电脑感染病毒，那么内存中的数据不会消失，如何维护计算机的安全性？

        这些都是操作系统和应用程序设计者该考虑的问题。Spencer Shepler 表示，这需要涉及到信息系统的重建，系统厂商需要开发出更先进的新技术来实现数据管理。

        新一代内存的竞争者

        传统 DRAM 内存使用的是电容材质进行数据的存储，必须隔一段时间刷新一次，所以无法实现数控的永久存储；而记忆电阻材质，则有可能成为其替代品。比如惠普正在研发的 “忆阻器内存”，可以使用离子氧化钽扩展或收缩电压，当电源关闭时，存储元件可以保持形态，数据不会丢失。目前，诸如松下、海力士、Rambus 等多个厂商，都在使用不同的记忆电阻材质，来开发新型的 RAM。目前记忆电阻内存的主要瓶颈在于速度，不过惠普表示随着技术的发展，记忆电阻的速度最终会达到目前 DRAM 的速度。

        记忆电阻内存

        其他厂商也在类似的产品，如 IBM，正在研究相变类存储介质，利用硫族化合物在晶态和非晶态巨大的导电性差异来存储数据的，在加热和冷却时不会丢失数据；纳米 RAM 也是一种类似的原理，使用网状碳纳米管材质来替代传统电容内存。

        IBM 相变存储芯片

        不过，由于技术成本的关系，目前惠普主推的忆阻器内存最有可能实现商用，但初期的价格仍会比较昂贵。显然，传统闪存和 DRAM 仍然会服役很长一段时间，但是在操作系统、存储介质不断发展的情况下，未来的电脑文件存储和应用都将发生巨大的改变。

        来源：techradar