10nm终于出来啦！Intel十代酷睿正式上路：全新花式命名

　　今年 5 月底开幕的台北电脑展上，Intel 正式公布了 10nm 工艺、代号 Ice Lake 的第十代酷睿处理器，不过当时公开的只有系统级特性和规格，并没有具体产品型号、参数。

　　今天，Intel 正式发布了多达 11 款十代酷睿处理器，专为轻薄型笔记本设计，包括低功耗的U系列和超低功耗的Y系列。

　　Ice Lake 十代酷睿是 Intel 第一批大规模采用 10nm 工艺的产品，同时拥有全新设计的 Sunny Cove CPU 架构、11 代 GPU 核芯显卡架构，也是 PC 处理器第一次大规模集成和应用 AI 人工智能，Wi-Fi 6(Gig+)、雷电 3 连接也开始普及，支持最多四个雷电 3 接口。

　　AI 人工智是十代酷睿的一大突出特性，Intel 深度学习加速技术是一套全新的专用指令集，可在 CPU 上加速神经网络，应用于自动图像增强、照片索引、逼真声效等各种场景，同时 GPU 引擎计算性能首次突破 1TFlops，有利于视频创作、分析和实时视频分辨率增强等。

　　十代酷睿还具备Intel GNA 专用引擎，以极低的功耗运行语音处理、噪声抑制等后台工作负载，从而最大限度地增加电池续航时间。

　　GPU 核显在十代酷睿上取得突破，基于 11 代架构，图形性能比上代提升一倍，可以流畅运行 1080p 游戏，或者进行 4K 视频编辑、快速应用视频滤波器、高分辨率照片处理等，同时首次支持 VESA 自适应同步(《尘埃拉力赛2》/《堡垒之夜》等游戏)、首次融入可变速率着色(VSR)、首次支持 BT.2020 色彩规范可显示 10 色彩的 4K HDR 视频。

　　十代酷睿采用了新的型号命名体系，包含四位数字与一位字母，其中前两位数字均为“10”，代表第十代酷睿；

　　第三和第四位数字代表 SKU 型号高低，第四位数字还和热设计功耗挂钩：8 28W、5 15/25W (标准 TDP 和最高可配置 TDP)、0 9/12W；

　　最后是一个字母“G”加一位数字，代表核显级别高低，其中G7 64 个执行单元、G4 48 个执行单元、G1 32 个执行单元，G7、G4 都属于锐炬 Iris Plus，G1 则属于超核显 UHD。

　　详细型号和参数如下：

　　U 系列共有六款，旗舰型号i7-1068G7为 4 核心 8 线程，基准频率 2.3GHz，全核睿频 3.6GHz，最高睿频 4.1GHz，三级缓存 8MB，核显加速频率 1.1GHz，热设计功耗 28W。

　　i7-1065G7 CPU 频率降至 1.3/3.5/3.9GHz，热设计功耗来到 15W，可上调至 25W，其他同上。

　　i5-1035 有三个不同版本，三级缓存都是 6MB，其中i5-1035G7 CPU 频率继续降至 1.2/3.3/3.7GHz，核显加速频率也降至 1.05GHz；i5-1035G4自然是 48 个执行单元，同时 CPU 基准频率降至 1.1GHz；i5-1035G1则变为 32 个执行单元，CPU 频率来到 1.0/3.3/3.6GHz。

　　i3-1005G1是U系列唯一的双核心四线程，三级缓存 4MB，CPU 频率 1.2/3.4/3.4GHz，核显 32 个单元，加速频率 0.9GHz。

　　再来看Y系列，其中 i7/i5 都是 4 核心 8 线程，三级缓存分别 8MB、6MB，热设计功耗都是9/12W。

　　i7-1060G7 CPU 频率 1.0/3.4/3.8GHz，核显加速频率 1.0GHz。

　　i5-1030G7、i5-1030G4 CPU 基准频率分别只有 0.8GHz、0.7GHz，全核与最高加速频率均为 3.2/3.5GHz，核显加速均为 1.05 个，更主要的区别当然是 64 单元与 48 单元。

　　i3-1000G4、i3-1000G1唯一区别就是 48、32 单元，CPU 频率均为 1.1/3.2/3.2GHz，核显加速频率均为 0.9GHz。

　　Ice Lake 十代酷睿笔记本即将陆续上市，此前在台北电脑展上 Intel 已经预展了几款新品，而且都通过了 Project Athena 雅典娜计划的验证，包括宏碁 Swift 5、戴尔 XPS 13、惠普 Envy 13、联想 S940。

　　今天的发布也只是十代酷睿的一个开端，后续会有更多产品，包括企业级博锐。更多信息将在月底公布。

　　相比于 Intel，台积电、三星如今在工艺方面可谓十分激进，虽然有不少“水分”。

　　不同于以往间隔多年推出一代全新工艺，台积电和三星如今都改变打法，一项重大工艺进行部分优化升级之后，就会以更小的数字命名。

　　比如三星，7nm 7LPP 去年十月投产之后，按照官方最新给出的时间表，6nm 6LPP 将在今年下半年如期投入量产，5nm 5LPE 今年内完成流片、明年上半年量产，4nm 4LPE 也会在年内设计完毕。

　　按照三星给出的技术路线图，6LPP、5LPE、4LPE 其实都是在 7LPP 工艺基础上演化而来的，要一直到 3nm (3GAE/3GAP)才会是全新的设计，预计会使用全新的结构和材料。

　　7nm 也是三星第一次使用 EUV 极紫外光刻，6/5/4nm 上势必会进一步加强。6LPP 相比 7LPP 会将晶体管密度提升约 10％，同时功耗更低，但会沿用 7LPP 上最初设计的 IP。

　　5LPE 会在性能、功耗、核心面积上进一步提升，不过核心 IP 还是 7LPP 的那一套，不过由于 EUV 应用更深入，三星预计 6LPP、5LPE 工艺的应用范围也会更广，而且 5nm 明年迅速就会成为主流。

　　4LPE 将会是 7LPP 的终极进化版本，预计 2020 年首次流片，2021 年的某个时候量产。

　　在日本的 2019 VLSI Symposium 超大规模集成电路研讨会上，台积电则宣布了两种新工艺，分别是 7nm、5nm 的增强版，但都比较低调，没有过多宣传。

　　7nm 工艺的增强版代号为“N7P”(P即代表性能 Performance)，在原有第一代 N7 7nm 工艺的基础上，继续使用 DUV 深紫外光刻技术而没有 7nm+ 上的 EUV 极紫外光刻，设计规则不变，晶体管密度也不变，只是优化了前线(FEOL)、后线(BEOL)，能在同等功耗下带来7％ 的性能提升，或者在同等性能下降功耗降低 10％。

　　5nm 工艺的增强版代号为“N5P”，也是优化前线和后线，可在同等功耗下带来7％ 的性能提升，或者在同等性能下降功耗降低 15％。

　　台积电 N7P 工艺已经可用，但尚未宣布任何具体客户。

　　台积电此前曾表示，7nm、6nm 都是长期工艺节点，会使用多年，5nm 则相当于一个升级过渡版本。

　　再往后，台积电的下一个重大工艺节点 3nm 也已经取得重大进展，技术研发非常顺利，已经有早期客户参与进来，与台积电一起进行技术定义，预计 2022 年初步量产。