富士通开发4Mbit四线SPI FRAM，资料传输速度高达每秒54MB

香港商富士通亚太电子有限公司台湾分公司 3 月 1 日宣布，富士通成功开发具有 4 Mbit 记忆容量的全新 FRAM（铁电随机存取内存）（注）产品 MB85RQ4ML，此产品于四线 SPI 界面非挥发性 RAM 市场中拥有最高密度，并开始以样本量供货。

MB85RQ4ML 采用单一 1.8V 电源供电，使用具有 4 个 I/O pin 的四线 SPI 界面，并能达到每秒 54 MByte 的资料传输速率。

此产品具高速运算能力与非挥发性内存特性，因此特别适用于网络建置、RAID 控制器及工业运算等领域。

富士通充分运用 FRAM 的非挥发性、高速读写周期、高读写耐用度及低功耗特性，为穿戴式市场及物联网市场带来使用 FRAM 的免电池解决方案。

为满足市场对非挥发性 RAM 界面速度提升的迫切需求，富士通目前已成功开发 MB85RQ4ML 4Mbit FRAM，在 FRAM 产品线中拥有最高资料传输速度。

▲ 采用 16-pin SOP 的 MB85RQ4ML。

此产品采用单一 1.8V 电源适配器及四线 SPI 界面，能以 108 MHz 运作频率达到每秒 54 MB 的资料传输速度。相较以往富士通产品中，采用 44-pin TSOP 封装中，拥有 16-bit 平行界面的 4Mbit FRAM，其传输速度最快，为每秒 13 MB，而此全新产品的资料读写速度领先前者将近 4 倍之高，且所用脚位更少。

▲ 资料传输率比较。

此产品特别适用于必须持续重写设定资料的网络设备，如路由器等。其定位介于资料储存用的高密度非挥发性内存与高速作业内存之间，并以高速存取及资料备份支持资料重写。

▲ 内存于网络设备的使用案例。

仰赖巨量资料处理能力的物联网市场，随着资料处理量不断增加，内存亦必须频繁地执行资料重写；此外，从安全观点来看，保留存取纪录也将更受到重视。有鉴于此，此产品能透过保留网络领域中存取资讯而促进设备效能的改善。

注：

铁电随机存取内存（FRAM）是一种采用铁电质薄膜做为电容器以储存资料的内存，即便在没有电源的情况下仍可保存资料。FRAM 结合了 ROM 和 RAM 的特性，并拥有高速写入资料、低功耗和高速读 / 写周期的优点。富士通半导体自 1999 年即开始生产 FRAM，亦称为 FeRAM。

来自: technews.cn