SSD 还分随机和顺序 IO 吗?

jopen 10年前

原文  http://blog.sina.com.cn/s/blog_69406f8d0102vcxz.html

上周,有位朋友提出一个问题:“在 HDD 中,顺序 8KB 写和离散(随机) 8KB 写的 IOPS 差别大,这是因为磁盘机械的原因。那么在 SSD 里面,顺序 8KB 和离散 8KB IOPS 也还会有差别吗?”

这是一个好问题。因为硬盘每一次随机访问,都需要消耗磁头寻道和盘片旋转等待这两部分时间;而 SSD 使用的是半导体闪存介质,随机访问要快得多。

我在《 Oracle Exadata X5弹性扩展与SSD性能计算 》一文中,经过推算得出“ Oracle Exadata X5弹性扩展与SSD性能计算 Exadata 公布的 SQL 闪存写 IOPS 可以是顺序操作,所以会超过 IntelP3600 标称的 8KB 随机写 IOPS ”的判断。当时也确实有点拍脑袋,印象中看过这方面的测试数字,但却一时拿不出证据了。

最简单的办法,就是用实际测试再验证一遍,这时我已经做好推翻自己的准备:)

SSD 还分随机和顺序 IO 吗?  

上图引用了 IDF 关于 SSD 的演示文稿,“不管顺序还是随机写入,都没有寻址时间,因为它们都是被顺序地写到 NAND 里面去的。”

SSD 还分随机和顺序 IO 吗?

这里的说明不只代表 Intel SSD ,所有以闪存为介质的固态盘都是如此,通过 FTL “将新数据写入新的物理地址,将原来的 LBA 地址标明无效并不可用”,让我想起了 NetApp WAFL ZFS 文件系统。

以上是理论 基础 ,下面看看测试环境和测试结果。

测试环境

首先,我可没有 Exadata 那样高大上的东西,话说以我的 Oracle 水平也玩不动,现在拿给我玩也浪费了。

SSD 还分随机和顺序 IO 吗?

就拿自己用的 SL500 笔记本吧,正好系统盘已经换成 SSD ——被誉为渣渣的三星 840 EVO TLC ),凑合着做个验证。

如上图,由于 C 盘上安装了操作系统,不能影响正经事儿,所以我在当初预留的 11GB 空间上创建了一个测试分区,并且用 Iometer 将其“填满”后开始测试。

这里说明 2 点:

1.    我测试的不是整盘,但 SSD FTL 来实现磨损平衡,因此实际写入的 LBA 范围很可能比较大并在物理上不连续,可以像 WAFL/ZFS 文件系统那样永远写到新的位置。

2.    另外我是在 NTFS 文件系统上做的测试,与直接测试裸盘有些差别,每种文件系统 / 卷管理器通常都会有些缓存、元数据之类的,不过对本次测试影响不大。

SSD 还分随机和顺序 IO 吗?

操作系统是 Windows7 64 位, Iometer 软件版本 1.1.0-win64.x86_64 ,每次测试运行 2 30 秒(我的 SSD 已经过一段时间的“老化”)。我们看到 C 盘里的数据也不少,如果是机械硬盘这样测试 Z 盘的话,只要没有(对 C 盘操作) I/O 争用就无所谓;而 SSD 则不同,整个盘的内充满数据的比例、以及碎片化程度都会影响到性能,特别是写入性能。

由于 SSD 的特点,不仅写入闪存页面速度没有读快,另外已经写入数据的页面(大小 4KB/8KB )需要经过块( 64KB 以上)擦除才能再次写入,也就是通常所说的垃圾回收( GC )过程。相比之下机械硬盘不存在这些问题。

测试结果及分析

SSD 还分随机和顺序 IO 吗?

SSD 随机 / 顺序写入性能对比(关闭写缓存)

为了避免写缓存的干扰,我首先在关闭写缓存的情况下运行了测试。根据以上图表,排除测试误差情况因素,差距确实比较小。 SSD 在队列深度为 1 时的 500 左右 IOPS ,也达到了我笔记本 5400 转机械硬盘的 10 倍。

结论初步有了,但是接下来我又面临一个问题——之前对 Exadata X5 存储节点 SQL flash read/write IOPS 的简单分析如何解释?

ExtremeFlash 全闪存节点为 377,000 ,这里是 SQL IOPS 已经考虑到 ASM 冗余带来的写惩罚,那么落到每个 SSD (每节点 8 个)上应该就是 94,250 ——好像这个数字明显超过了 IntelP3600 标称的 8KB IOPS 33,000

那么 HighCapacity 大容量混合存储节点的 192,000 ,落到 4 块闪存卡上 96,000 IOPS 也是类似的情况?

我们仍然以 Oracle 给出的最大性能指标是落在 SSD 上的真实 IOPS 为前提 ,如果顺序写不能比随机写更快的话,那这个数字是怎么测出来的?

Oracle 的朋友给出了回答: F160 NVMe SSD )的指标和 P3600 不完全一样,说用的是 eMLC 8KB 随机写入指标到 42000 ”,“我们的卡不是标准产品,比标准的卡性能更好,寿命更长。”  

SSD 还分随机和顺序 IO 吗?  

Oracle 给出的 F160 性能确实比上表中的 IntelP3600 高,但距离我计算之后期望的数值还相差比较多。至于 eMLC 和寿命之说,感觉 Intel 又有点玩了数字游戏——我曾经写过 P3600 没有像 P3700 那样标明 High Endurance Technology (HET) 闪存,但新发布同样支持 5 年每天 3 次整盘写入, 1.6TB 型号最大写入数据量 10.7PB S3610 (同容量的 P3600 8.76PB ),就标明了高耐久度 MLC

我们再看看还有啥提高性能的方法。

SSD 还分随机和顺序 IO 吗?

参考上图,不知 Smart Scan 能否 8KB 数据块整合成更大的 I/O ?如此则写入带宽将会增加。不过这违背了我们刚刚设定的前提。

增加队列深度对随机读改善比较明显,也就是发挥闪存的并发能力,其实看前面关闭写缓存情况下 随机 / 顺序写测试也是如此。

SSD 还分随机和顺序 IO 吗?

上面的文字重新解释了“ 随机度 ”对性能的影响,理由是 顺序操作减少通道冲突,以及碎片回收的难度 。右边柱状图中的差距是在什么条件下测得的呢?

还有过量冗余—— Intel 等厂商早就说过“减少 LBA 的访问范围可以提升性能、耐久性和服务质量”。右边的折线图最右端为 100% 随机写,当 超量配置OP )为 0% 时写 I/O 很容易触发垃圾回收;有了 20% 40% 空间冗余 比例可以带来显著的写 IOPS 提升。

SSD 还分随机和顺序 IO 吗?
SSD 还分随机和顺序 IO 吗?

让我们再来看看 Intel 当年的 SSD 320 是公布了怎样的“作弊方法”——在 8GB LBA 范围内测试,并打开写缓存。其实消费级 SSD 公布的 IOPS ,有几家不是这样测的呢,甚至于 Fusion-io 好像也这么干过。

那么 Exadata X5 是不是也可以预留闪存容量呢——没有说测试数据集一定要多大吧?可惜我的笔记本 SSD 太搓,在 11GB 分区内测试也没快到哪里去,不过可以打开写缓存试试看。

SSD 还分随机和顺序 IO 吗?

SSD 随机 / 顺序写入性能对比(打开写缓存)

如上图, 4 条不同颜色的实线表示 IOPS ,以左边的坐标轴为单位; 4 条对应颜色的虚线表示延时(单位毫秒),以右边的坐标轴位单位。从左到右的 4 个点,代表每项测试我都运行了 4 遍。我的 Excel 水平不高,大家凑合看看:)

首先,我在队列深度设为 1 的情况下对比了 8KB 随机写和顺序写,由于写缓存的因素,前 2 次测试的 IOPS 波动比较大,而到了第 3 次以后则趋于稳定并出现明显一些的差距。将队列深度改为 32 之后,随机写 IOPS 并没有明显的改善。

至于队列深度 32 8KB 顺序写,只是拿来做个参考数字,毕竟我都是在有限的时间内运行测试。 8KB Oracle OLTP 应用的典型 IO 尺寸;对于批量插入和 redo log 这样的小数据块顺序写操作,我不确定多线程 / 进程能够发挥到什么程度。由于我在数据库方面并不专业,所以这里就不妄下判断了。

尝试给出一个结论: Intel 在资料中提到过随机度对 SSD 写入性能的影响(原因前面解释过了)。除了过量冗余能够提高写入性能之外,根据测试, 打开写缓存在一些情况下也可以改善 SSD 8KB 顺序写 IOPS (长时间测试效果有待验证)。

极限测试和 POC 、读 IOPS 如何

许多消费级 SSD 大胆使用 DRAM 写缓存来提高 IOPS 性能,我在《 SSD 缓存掉电保护: 3 种方案的利与弊 》一文中提到有的企业级 SSD 也这么做,但要用电容来做保护; 这样对性能的效果与控制器 /RAID 卡的写缓存,延时将数据持久化到硬盘 /SSD 的情况类似。

尽管可能会带来数据风险,但对于极限性能测试来说,快一些有什么不好呢?正如同行朋友所说,有多少 POC 会老老实实地使用 write-through SYNC 这样的参数呢?

SSD 还分随机和顺序 IO 吗?

最后我还顺手做了个读测试,可以看到在并发足够(队列深度 32 )的情况下 8KB 随机读 IOPS 能够达到甚至超过 8KB 顺序读,这时我的笔记本 CPU 占用率已达 80-90% (还有杀毒软件什么的,就算是个小小的生产环境吧),这个 SSD 可能还有潜力。

另一方面,如果队列深度只有 1 ,那么顺序读还是比随机读要快不少,我理解这是预读的效果。  

本人的技术水平有限,欢迎大家批评指正!文中如有不够严谨的观点,权且当作给大家拓展思路吧:)